长鑫官宣年底推4F²架构DDR5服务器内存，三星CTO回应“正在努力”

10月上旬，长鑫存储总裁曹堪宇在上海第四届集成芯片和芯粒大会上宣布，公司预计今年年底推出采用4F²架构的新一代服务器DDR5 RDIMM。与此同时，三星对自家4F² DRAM的公开量产时间仍定在2028年。

消息发布后，三星、SK海力士和美光股价均出现明显下跌，市场将其解读为国产存储在架构创新上的一次抢跑。

什么是4F²？

目前行业主流DRAM采用6F²存储单元结构。F指的是芯片上能做出的最小特征尺寸。4F²则把每个存储单元压缩到2F×2F的方格里，面积大约只有6F²的三分之二，理论上同样大小的芯片能多塞30%到50%的存储单元。

实现这一步的关键，是把原本平铺的晶体管“竖起来”。长鑫采用的是自研VSG（垂直环绕栅极）晶体管，栅极从四周包住垂直沟道，用来压住漏电和短沟道效应。三星走的路线接近，采用垂直沟道晶体管（VCT），并搭配晶圆级混合键合。长鑫表示，相关公开专利族已超过300件。

三星的回应与进度

三星在今年2月的ISSCC上已展示过16Gb的4F² DRAM原型。按此前公开的路线图，10a节点今年完成开发，2027年进行质量测试，2028年转入量产。

10月14日在首尔SEDEX展会上，三星总裁兼CTO宋在赫被问及是否也在开发4F²时，明确回答“是”，再问进度时只说“我们正在努力”。这一表态被解读为承认技术方向，但并未透露具体时间表。

需要冷静看待的地方

尽管“领先两年”的说法在报道中广泛出现，但目前长鑫尚未公布具体速率、容量、良率，也未明确是否为大规模量产或仅样品。不少分析机构认为，现阶段就判定取得决定性领先为时过早。服务器RDIMM对稳定性、兼容性和客户认证要求极高，从宣布到真正合格出货之间仍有较长验证周期。

另有观点指出，在先进光刻设备受限的背景下，长鑫选择在存储单元结构上寻找突破，是一条务实路径。目前长鑫在全球DRAM市场约占一成份额，此前业务更侧重消费电子，服务器内存长期由三星、SK海力士和美光主导。

对装机用户的影响

这条消息短期内对台式机内存条影响有限。长鑫此次明确指向的是服务器用RDIMM。4F²需要先在服务器场景跑稳、通过严苛认证，证明自己满足7×24小时稳定运行和兼容性要求后，才可能逐步下沉到消费级产品。

长鑫此前已宣布第五代DRAM平台G5和LPDDR6量产，但4F²真正影响普通用户能买到的内存价格或供给，至少还需要进一步的量产和客户验证。

结语

长鑫这次公开4F²时间表，是国产DRAM在结构创新上的一次明确表态。技术方向清晰，但“年底推出”与“大规模可靠出货”之间仍有距离。三星的谨慎回应也说明，这件事并未被外界完全低估。后续真正值得关注的，是样品规格、良率爬坡以及服务器客户的认证进度。