长鑫下一代内存工艺 G6 预测：继续使用 DUV，存储单元面积有望缩小约 30%

X 上技术博主 Frederick Chen 近期对长鑫存储（CXMT）下一代内存工艺 G6 做出预测。他认为，由于无法获取 EUV 光刻机，长鑫将继续依赖 DUV 工艺，通过自对准四重图案化（SAQP）与键合技术，将存储单元面积再缩小约三成。

需要说明的是，G6 是晶圆厂内部的工艺代数代号，与主板上的 DDR5、显卡上的 GDDR6 属于不同编号体系，不可混淆。国际大厂常以 1a、1b、1c 等方式命名同类工艺，长鑫则使用 G5、G6 来区分代际。

目前三星、SK 海力士已在先进 DRAM 工艺中引入 EUV，美光也在最新一代工艺上跟进。长鑫只能继续使用 193 纳米 DUV 浸没式光刻机。为了刻出更细的线条，需要采用自对准四重图案化（SAQP）：先刻出较粗线条，再通过反复沉积与刻蚀在两侧形成更细的“墙”，将间距逐步缩小。工序增加后，光罩数量、加工步骤与对准精度要求都会显著提高，成本与良率风险同步上升。

预测中还引入了键合工艺。内存芯片除存储单元外，还需为外围控制电路预留空间。键合思路是将控制电路与存储单元分置在两片晶圆上分别制造，最后再精准贴合，从而释放更多面积给存储单元，进一步提升整体密度。

根据博主估算：

G5（已宣布）：单个存储单元面积约 0.001282 平方微米，采用 DUV 多重图案化，6F² 结构 G6（预测最快 2028 年）：单个存储单元面积约 0.000896 平方微米，采用 DUV + SAQP + 键合，6F² 结构 单元面积缩小约 30%，理论上同一片 12 英寸晶圆可产出更多芯片。但四重图案化与键合带来的额外光罩、刻蚀步骤与良率爬坡成本，可能抵消部分面积优势。最终终端内存条价格仍取决于全球供需关系与长鑫实际产能释放情况。

时间线方面，最快 2028 年更可能是工艺研发成型、开始试产的节点。从晶圆厂跑通工艺，到颗粒送至模组厂验证，再到制成内存条上市，中间仍需一定周期。当前主流 DDR5 已能满足绝大多数游戏与生产力需求，无需刻意等待新工艺。