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马斯克点评长鑫:中国量产能力很强,标准内存先冲量,HBM还早

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马斯克在X上评论长鑫存储时表示,中国一旦掌握一项技术的制造方法,扩产能力往往超过世界其他地方的总和,锂电池和光伏就是例子。他将内存分为两类:LPDDR5/6等按统一标准设计的内存,中国解决得很快;而HBM和3D堆叠等新架构难度大得多。长鑫近期已量产LPDDR6、推出大容量LPDDR5X,并计划推出4F²架构服务器DDR5,均属于有公开规范可循的标准产品。HBM则因堆叠良率、封装和散热难度更高,且长鑫暂无法使用EUV,有券商评估其与三星、SK海力士、美光至少差三年。

长鑫存储放出4F²服务器内存的消息后,马斯克在X上回了一条讨论它的帖子。

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他说,中国一旦搞懂一样东西怎么造,扩产能力往往比世界其他地方加起来还强,锂电池和光伏都是例子。

说到内存,他把它分成两类。LPDDR5、LPDDR6这类按统一标准设计的内存,中国好像解决得很快;HBM和3D堆叠这些新架构,难度要大得多。

他回的是投资博主Melvin的帖子。Melvin那条帖子是在讲当天存储股的抛售,他认为跌得过头了。长鑫已经是不能忽视的对手,可新技术能不能稳定大规模量产,还要看良率、成本和可靠性。何况内存需求还在涨,产能多出来,不等于市场马上供过于求。

马斯克的回复从制造能力讲起。他说,中国学会制造一种产品以后,扩大规模的能力常常超过世界其他地方的总和,锂电池和光伏就是这样。他也举了一个少见的反例,就是他自己的SpaceX,按送上轨道的载荷重量算,SpaceX仍然远远领先。

接着他讲到内存,说情况也许会不一样。

大约三年前,内存还是利润很薄的大宗商品。LPDDR5和LPDDR6是按共同标准设计的,中国看起来正在很快地解决相关技术问题。更难攻克的是新一代HBM架构,还有一类做法,是在逻辑芯片下面垫一层SRAM,在上面把内存做三维堆叠,同时还要把逻辑芯片的热散出去。

他把线划在标准上,长鑫这一年的进展正好落在线的这一边。9月7日,长鑫宣布LPDDR6量产,首发用在小米18 Fold上,容量16G,按长鑫的产品说明,这颗内存符合JEDEC的LPDDR6标准。之后长鑫又宣布第五代DRAM工艺平台量产,推出两款LPDDR5X,单颗裸片容量比上一代同类产品大50%。年底还有那款4F²架构的服务器DDR5。

这些都是有公开规范可照着做的产品。JEDEC把接口、速率和电气特性写成标准,谁家做出来的颗粒,只要过了验证,就能装进同一类手机和电脑里。比的是谁做得更便宜、良率更高、产能更大,这正是马斯克说的中国最擅长的那件事。

HBM也有JEDEC标准,难在做出来。它要把多层DRAM芯片叠在一起,用硅通孔上下连通,再紧挨着GPU封装,给AI加速卡供数据,堆叠良率、封装和散热都比做单颗内存难得多。有券商评估,长鑫在HBM上和三星、SK海力士、美光至少差三年。长鑫还用不上EUV光刻机,只能靠DUV光刻机多次曝光,成本更高,良率也更难提上去。

对装机的人,这条线有一个很直接的含义。我们插在主板上的DDR5、笔记本里的LPDDR5X,都在标准那一边。照马斯克的说法推下去,国产内存先冲上量的,会是手机和电脑里的这些标准内存,AI卡上的HBM反而轮得晚。这只是顺着他的话推,长鑫的产量和良率到现在都没公开,能多快冲上量,还得看它的出货。

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