主场赢了!长江存储拿下中国NAND市场38.5%,三星、海力士紧急升级在华工厂
2026年第二季度,长江存储以38.5%的份额登顶中国NAND闪存市场,超越三星的33.5%和SK海力士的17%。面对本土对手快速崛起与AI存储需求爆发,两家韩国巨头正加紧升级西安与大连工厂工艺,分别瞄准286层和240层以上产品,同时强调不扩产、符合美国出口管制。
据外媒援引业内数据(Omdia),今年二季度中国NAND闪存市场格局发生明显变化:

长江存储一年多时间份额上涨10.5个百分点,直接从第三跃居第一;三星丢失2.5个百分点退居第二,SK海力士下降3个百分点。 韩系应对:工艺升级而非扩产 三星西安厂(约占三星全球NAND产量四成)目前主力仍为约200层产品。公司正通过内部项目“Monami”将其转换为286层V9工艺,计划2026年12月实现月产5000片晶圆,2027年12月提升至4万片。三星明确表示,此举仅为工艺转换,不扩大产能、不新建厂房,产品将供应包括美国在内的全球客户,并与美方保持密切沟通,符合出口管制要求。 SK海力士大连厂(原英特尔闪存工厂,现Solidigm唯一生产基地)目前生产192层产品,计划升级至240层及以上。知情人士透露,美国已放行至240层,海力士可能进一步申请300层以上的研发许可。

设备许可仍是关键约束。两家在华工厂使用美国设备需每年单独申请许可证。美国此前表态倾向于允许现有运营,但对技术升级和扩产持谨慎态度。此次升级均在与华盛顿沟通下推进。 长江存储进展 长江存储当前主力产品为160层和232层,294层已进入小批量生产,并继续向300层以上推进。凭借自研Xtacking(晶栈)架构,公司在先进设备受限的情况下仍能持续提升层数与竞争力。 全球层面,长江存储出货量份额已进入前三,长期目标冲击20%。而三星已量产286层并展示400层以上原型,SK海力士最高销售产品达321层,技术仍领先,但本土市场竞争加剧已迫使韩系加速行动。 行业影响 此次变化既反映国产替代加速,也叠加了AI数据中心对存储需求的强劲拉动。对中国市场而言,国产颗粒供应稳定性提升;对全球供应链而言,韩系在华产能的工艺升级能否顺利落地,将直接影响后续竞争格局与价格走势。
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