内存要叠到处理器头顶了！美光vHBM定在2028年量产，最难的一关是散热

美光10月21日的技术会上，路线图里多了一个叫vHBM的东西，垂直HBM。现在的HBM是摆在GPU旁边的，vHBM要把内存直接叠在计算芯片的上方，让内存到计算单元的路径最短。第一代vHBM定在2028年前后，到2030年出到第三代。

这场会是美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer主讲的。路线图把HBM排成一年一代：HBM4在2026年，HBM4E在2027年，HBM5在2028年，HBM5E在2029年，HBM6在2030年，从HBM4E开始有给客户定制的版本。美光自己说，这些时间点是方向性的，后面还可能调整。

在这条主线旁边，美光新开了两个类别，vHBM和vEIM。三种HBM会同时存在，标准的、定制的、垂直的各走各的。

路径短是最大优势

vHBM的好处是路径短。数据不用再绕一段，每瓦能搬的带宽更高，每瓦能出的token也更多。要把内存叠到逻辑芯片上，美光打算用无凸块的混合键合。美光在会上解释，混合键合最终是被连接密度逼出来的，要更高的带宽，触点就得越挨越近，混合键合就是解决这件事的办法。

另一个vEIM叫垂直边缘推理内存，是把低功耗的LPDDR叠在边缘设备的逻辑芯片上，首代目标是约2TB/s带宽、每比特能耗低于1皮焦耳，时间点也标在2028年前后。

最难的是散热

内存压在处理器头顶，等于把处理器往上散热的路挡了一截。有分析师认为，这会限制vHBM能用在哪、能铺多大，它更可能和标准HBM一起用，很难全面替代。美光给出的办法是散热片、按散热来设计芯片，以及和整机放在一起设计，报道里提到美光为它准备了集成式的烟囱散热器。

这些新内存要靠美光下一代的1δ工艺来造。按美光的说法，1δ在2027年下半年爬产，位密度比上一代提升百分之二十几，HBM5、vHBM、vEIM、DDR6和LPDDR6都会用它。